为此，远光人们一直致力于通过调控D单元或对末端IC单元进行官能化来修饰ITIC分子。
由于二维材料的低维特性，广安像空穴和掺杂等原子缺陷能够对电子结构造成极大的影响。这些原子和分子中存在着吸附能力较弱的个体，助跑中广站启为STM的操纵提供了可能。
核工探索超薄量子线系统中电子和输运性能的interwire耦合现象。另外，司智光源和太赫兹源产生的电磁场，使得在超快速度下实现原子操纵技术成为可能。在光刻接触电极间精确放置单根石墨烯纳米带通常是非常困难的，远光而为了测量单根纳米带的输运性能，远光STM的针尖可以通过单根纳米带或者单分子与基质进行桥连，实现两点测量模式[10]。
，广安通过调控超高真空和制冷温度，利用STM在有限空间中对原子级结构的量子态实现表征由此成为可能。其次，助跑中广站启由STM操纵技术制备的原子级精度结构非常容易受到环境因素的影响而被污染，助跑中广站启因此在刻蚀退火过程中，引入保护层能够保持制备结构的完整性使其在正常周边环境中依然执行功能。
首先是由于STM是在原子尺度具有稳定性的技术，核工其在高通量操作方面的安全可靠性有待观察，核工因此进一步改善能够制备具有原子级精确度的大尺寸、复杂结构的自动化技术是非常有必要的。
于是通过信号控制，司智研究人员增强了器件制备过程中的自动纠错能力，司智并成功制备了功能化的8比特和192比特的原子存储单元，实现了存储密度的大幅提升[11]。【成果简介】近日，远光中国科学院北京纳米能源与系统研究所张弛研究员和王中林院士团队研究了基于金属-半导体界面的直流低阻抗摩擦纳米发电机（MSDC-TENG），远光并实验证明了王中林2019年提出的摩擦伏特效应（Tribovoltaiceffect）(MaterialsToday,30(2019)34-51.https://doi.org/10.1016/j.mattod.2019.05.016)。
广安c)滑动状态下MS结的能带图。【小结】综上所述，助跑中广站启这项工作将摩擦发电的材料从聚合物扩展到半导体，实现了直流低阻抗的摩擦纳米发电机，展示了一种全新的能量转换机制。
当金属滑块和硅片水平滑动过程中，核工MSDC-TENG提供的持续直流电具有10-20mV的开路电压、10-20μA的短路电流和0.55-5kΩ的低阻抗特性。这种将摩擦直接作用在半导体界面上产生的电能转换，司智将促进摩擦电与半导体的深度耦合，推动摩擦电子学新兴领域的发展。
